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2ED1322S12MXUMA1

1200V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管和过流保护

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描述: 控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2ED1322S12MXUMA1
商品编号: C20189641
包装方式: 编带
商品毛重: 0.57克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	48ns
	传播延迟 tpLH	500ns
	传播延迟 tpHL	500ns
	特性	过流保护(OCP)；欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V
	输入低电平(VIL)	1.1V
	静态电流(Iq)	600uA

商品概述

2ED132x 系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为 +1200 V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，逻辑电平低至 3.3V。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元。 2ED132x 具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快速自举二极管。此外，当 IC 未通过 VCC 供电时，离线栅极钳位功能可对因栅极浮空导致的寄生导通提供晶体管固有保护。

商品特性

英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅 (SOI) 技术 - 为自举操作设计的浮动通道
最大自举电压（VB 节点）+1225 V
工作电压（VS 节点）高达 +1200 V，VS 负瞬态电压抗扰度为 100 V - 具有重复 700 ns 脉冲
2.3 A / 4.6 A 峰值输出源/灌电流能力
集成超快速过流保护 (OCP) - ±5% 高精度参考阈值 - 过流检测到输出关断时间小于 1 μs
集成超快速、低电阻自举二极管
集成死区时间和直通防止逻辑（2ED1322S12M）
使能、故障和可编程故障清除 RFE 输入
VS 引脚逻辑工作电压低至 -8 V
每个通道独立的欠压锁定 (UVLO)
25 V VCC 电源电压（最大值）
独立的逻辑地 (VSS) 和输出地 (COM)
电气间隙/爬电距离大于 5 mm
2 kV HBM ESD 能力

应用领域

工业驱动器
泵、风扇电机控制用嵌入式逆变器
商用和轻商用空调

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近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.6A
	拉电流(IOH)	2.3A
	工作电压	13V~20V
	上升时间(tr)	48ns