2ED1323S12PXUMA1

2ED132x系列器件可控制半桥配置中最大阻断电压为+1200 V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁具有很强的抵抗力。 两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电平低至3.3V。该器件包含一个具有迟滞特性的欠压检测单元。 2ED132x具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快速自举二极管。此外，当IC未通过VCC供电时，离线栅极钳位功能可对因栅极浮空导致的寄生导通提供晶体管固有保护。

• 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术——为自举操作设计的浮动通道
• 最大自举电压（VB节点）为+1225 V
• 工作电压（VS节点）高达+1200 V
• 负VS瞬态电压抗扰度为100 V——可承受重复的700 ns脉冲
• 2.3 A / 2.3 A峰值输出源/灌电流能力
• 集成超快速过流保护（OCP）——±5%高精度参考阈值——从过流检测到输出关断时间小于1 μs
• 集成有源米勒钳位（AMC），灌电流能力为2 A
• 集成短路钳位（SCC）功能
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• 集成死区时间和直通防止逻辑（2ED1324S12P）
• 使能、故障和可编程故障清除RFE输入——VS引脚逻辑工作电压可达 -8 V
• 各通道独立的欠压锁定（UVLO）
• 25 V VCC供电电压（最大值）
• 独立的逻辑地（VSS）和输出地（COM）
• 电气间隙/爬电距离大于5 mm
• 2 kV HBM ESD防护能力

• 工业驱动器
• 泵、风扇电机控制用嵌入式逆变器
• 商用和轻商用空调