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1EDI3050ASXUMA1

单通道隔离式IGBT/SiC-MOSFET驱动器

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描述
特性:单通道隔离式 IGBT/SiC 驱动器,采用无芯变压器技术。 适用于高达 1200 V 的 IGBT/SiC-MOSFET。 集成 SPI。 共模瞬态抗扰度(CMTI)高达 150 V/ns(最高 1000 V)。应用:混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)的牵引逆变器。 高功率 DC/DC 转换器
商品型号
1EDI3050ASXUMA1
商品编号
C20189638
商品封装
DSO-36​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)20A
拉电流(IOH)20A
工作电压14V~21.5V
属性参数值
传播延迟 tpLH60ns
传播延迟 tpHL60ns
特性过流保护;短路保护
工作温度-40℃~+150℃
静态电流(Iq)7mA

商品特性

  • 采用无芯变压器技术的单通道隔离式IGBT/SiC驱动器
  • 适用于耐压高达1200 V的IGBT/SiC-MOSFET
  • 集成式SPI共模瞬态抗扰度(CMTI)在高达1000 V时可达150 V/ns
  • 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17):2021-10标准的8 kV基本绝缘
  • 符合UL 1577标准的基本绝缘
  • 集成式升压电路,峰值电流高达20 A
  • 轨到轨分离输出
  • 单路监测/钳位,用于驱动单个功率器件
  • 集成反激式控制器
  • 用于初级主动短路(ASC)触发和PWM控制的安全输入
  • 可选的次级侧主动短路(ASC)功能
  • 典型传播延迟为60 ns
  • 内部和外部有源米勒钳位支持单极开关
  • 集成双ADC,用于温度或直流母线电压测量
  • 集成安全特性,支持系统级ASIL D:冗余退饱和(DESAT)和过流保护(OCP)、匹配阻抗输入的差分过流保护、栅极和输出级监测、直通保护、低压/高压电源监测、内部监控
  • 符合ISO 26262标准的独立安全元件,满足高达ASIL B的安全要求
  • 绿色产品(符合RoHS标准)

应用领域

  • 混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)的牵引逆变器
  • 高功率DC/DC转换器

数据手册PDF