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TSM160N10LCR

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM160N10LCR
商品编号: C19856065
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON),以尽量降低传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)和浪涌电流(Rq)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
根据IEC 61249-2-21标准,无卤

应用领域

无刷直流(BLDC)电机控制
电信电源
初级和次级侧开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	46A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	73nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-