温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSM250N02DCQ

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM250N02DCQ
商品编号: C19856086
商品封装: TDFN-6(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

商品概述

这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固的栅极结构。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。这些器件专为在极小的占位面积内实现出色的功率耗散而设计，适用于采用较大且昂贵的 SO - 8 和 TSSOP - 8 封装不切实际的应用场景。

商品特性

符合IEC 61249-2-21标准的无卤要求
适用于1.8V驱动应用
薄型封装
符合RoHS指令

应用领域

电池组
负载开关

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	5.8A
	导通电阻(RDS(on))	55mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	620mW
	阈值电压(Vgs(th))	800mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	7.7nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	775pF
	反向传输电容(Crss)	50pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	85pF