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TSM2NB60CH

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM2NB60CH
商品编号: C19856095
商品封装: TO-251(IPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品特性

低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
低栅极电荷，实现快速功率开关
100%进行非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

无刷直流（BLDC）电机控制
电池电源管理
直流-直流（DC-DC）转换器
次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	2.3A
	导通电阻(RDS(on))	4.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	9.9nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道