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TSM250NB06LDCR

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM250NB06LDCR
商品编号: C19856091
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

分裂栅沟槽 MOSFET 技术
高速功率开关，逻辑电平
增强型体二极管 dv/dt 能力
增强型雪崩耐量
100% 非钳位感性开关（UIS）测试，100% 栅极电阻（Rg）测试

商品特性

低RDS(ON),以最小化传导损耗
逻辑电平
低栅极电荷,实现快速功率开关
100%进行UIS和Rg测试
符合RoHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

-无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	29A
	导通电阻(RDS(on))	28mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	48W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-