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TSM170N06PQ56

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM170N06PQ56
商品编号: C19856070
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品特性

采用小型薄型封装，占用空间小
高速开关
栅极电荷小：QSW = 4.5 nC（典型值）
漏源导通电阻低：RDS(ON) = 18 mΩ（典型值）
漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
增强型：Vth = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.1 mA）

应用领域

开关稳压器
电机驱动器
DC-DC 转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	44A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	73.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	29nC@10V

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	1.556nF
	反向传输电容(Crss)	45pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	105pF