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TSM1NB60CH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM1NB60CH

TSM1NB60CH

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商品型号
TSM1NB60CH
商品编号
C19856075
商品封装
TO-251(IPAK)​
包装方式
管装
商品毛重
0.677克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))10Ω@10V
耗散功率(Pd)39W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)6.1nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 高速开关
  • 栅极电荷小:Q_SW = 3.9 nC(典型值)
  • 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 5.1 mΩ(典型值)(VGS = 4.5 V)
  • 漏电流低: IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)
  • 增强型:V_th = 1.3 至 2.3 V(VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

应用领域

  • 高效 DC-DC 转换器
  • 开关稳压器

数据手册PDF