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TSM1NB60CP

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM1NB60CP
商品编号: C19856076
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	6.1nC@10V
	类型	N沟道

商品特性

先进平面工艺
100%雪崩测试
低漏源导通电阻RDS(ON),典型值8 Ω
低栅极电荷,典型值6.1 nC
低反向传输电容Crss,典型值4.2 pF

应用领域

电源
照明
充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	连续漏极电流(Id)	1A
	导通电阻(RDS(on))	10Ω@10V
	耗散功率(Pd)	39W