TSM160P02CS

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM160P02CS
商品编号: C19856066
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	14A
	导通电阻(RDS(on))	28mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	5W
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	24nC@4.5V

商品概述

这款功率MOSFET采用创新工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

快速开关
适用于1.8V驱动应用
符合RoHS标准
符合IEC 61249-2-21的无卤要求

应用领域

负载开关
网络

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	2.565nF
	反向传输电容(Crss)	120pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	232pF
	栅极电压(Vgs)	±10V