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TSM170N06CP实物图
  • TSM170N06CP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM170N06CP

TSM170N06CP

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商品型号
TSM170N06CP
商品编号
C19856069
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)15nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 通过AEC-Q101认证
  • 符合RoHS标准且无卤
  • N沟道MOSFET

数据手册PDF