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TSM170N06CH

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM170N06CH
商品编号: C19856068
商品封装: TO-251(IPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.677克(g)

商品参数

商品概述

这款 N 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一款先进的功率 MOSFET，经过设计、测试并保证能在击穿雪崩工作模式下承受特定水平的能量。所有这些功率 MOSFET 均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。

商品特性

100%雪崩测试
适用于5V驱动应用
无铅电镀
符合RoHS标准
根据IEC 61249-2-21标准无卤素

应用领域

开关电源同步整流
网络直流-直流电源系统

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	38A
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	46W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	15nC@4.5V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道