TSM16ND50CI
TSM16ND50CI
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- 商品型号
- TSM16ND50CI
- 商品编号
- C19856067
- 商品封装
- ITO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.551nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 153pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 100%进行UIS和Rg测试
- 先进的平面工艺
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,并遵循WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准,无卤
应用领域
- 电源
- 交流/直流LED照明