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TSM10ND65CI实物图
  • TSM10ND65CI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TSM10ND65CI

TSM10ND65CI

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商品型号
TSM10ND65CI
商品编号
C19856056
商品封装
ITO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.612克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)56.8W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@250uA
栅极电荷量(Qg)39.6nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.863nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)108pF

商品特性

  • 低RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 逻辑电平
  • 低栅极电荷,实现快速功率开关
  • 100%进行UIS和Rg测试
  • 符合RoHS标准
  • 根据IEC 61249-2-21标准无卤

应用领域

  • 无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流

数据手册PDF