TSM10ND65CI
TSM10ND65CI
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- 商品型号
- TSM10ND65CI
- 商品编号
- C19856056
- 商品封装
- ITO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.6nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.863nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品特性
- 低RDS(ON),以最小化传导损耗
- 逻辑电平
- 低栅极电荷,实现快速功率开关
- 100%进行UIS和Rg测试
- 符合RoHS标准
- 根据IEC 61249-2-21标准无卤
应用领域
- 无刷直流电机控制-电池电源管理-DC-DC转换器-次级同步整流
