温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VM8001
N沟道 80V 90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- VIVA(昱盛)
- 商品型号
- VM8001
- 商品编号
- C19724719
- 商品封装
- PPAK(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 990pF |
商品概述
60N03是一款N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻和出色的开关特性，专为低压大电流应用而设计，如带同步整流器的DC/DC转换器。
商品特性
- 80V、150A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 3mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择
应用领域
-网络-负载开关-LED应用
相似推荐
其他推荐