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RJK1525DPJ-VB实物图
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RJK1525DPJ-VB

1个N沟道 耐压:150V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型的Trench技术MOSFET，适用于电源转换器、汽车电子、家用电器等领域。TO220；N—Channel沟道,150V；20A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RJK1525DPJ-VB
商品编号
C19711350
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.06克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)1.66nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)200pF

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