SUM110N04-2M1P-E3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263;N—Channel沟道,40V;150A;RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUM110N04-2M1P-E3-VB
- 商品编号
- C19711361
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- SUP53P06-20-E3-VB
- T110N2G-VB
- TK6Q60W-VB
- UTT25P10L-TA3-T-VB
- ZVP4525GTA-VB
- ZXMP6A18DN8TC-VB
- 4P0304-VB
- AM20N15-250D-T1-PF-VB
- HM4264-VB
- IRF7342D2TRPBF-VB
- MDS3753EURH&30V-VB
- ST13P10-VB
- UT9435G-S08-R-VB
- AUIRFP064N-VB
- RJK5012DPE-00-J3-VB
- SI7812DN-VB
- IRLML2402TRPBF-VB
- NTD3055-094G-VB
- WPM3004-8/TR-VB
- SUD50N04-8M8P-E3-VB
- SI2328DS-T1-GE3-VB

