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TK6Q60W-VB实物图
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TK6Q60W-VB

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，适用于SJ_Multi-EPI技术，适用于高压和高电流应用。TO251；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
TK6Q60W-VB
商品编号
C19711364
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))700mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

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