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SI7812DN-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:35.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种应用场景。QFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；35.3A；RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7812DN-VB
- 商品编号
- C19711377
- 商品封装
- QFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.47nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 沟槽第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关-工业应用