MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C
- 商品编号
- C19711463
- 商品封装
- WFBGA-556(12.4x12.4)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 16mA | |
| 刷新电流 | 880uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V,标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V,标称1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V,标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V,标称1.10 V
- 频率范围:2133-10兆赫兹(每引脚数据速率范围:4266-20兆比特/秒)
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持每存储体定向刷新,便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- RoHS兼容包装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 工作温度范围:-40°C到+95°C,-40°C到+105°C,-40°C到+125°C
- MT41K256M8DA-125 AIT:K
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
- MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B
- MT29F4T08EULEEM4-T:E TR
- PAT-2+
- MAX25262AFOF/VY+
- STM32H562RGT6
- HR25-7TP-8S(72)
- THGAMVG9T23BAIL
- THGAMVT0T43BAIR
- THGBMJG6C1LBAB7
- THGJFAT1T84BAIR
- XKYEL89CJI-112YLC-32.768K
- XL2EL89CLI-111YLC-32M
- XL2EL89CSI-111YLC-30M
- XL2EL89COI-111YLC-30M
- XL2EL89CMI-111YLC-30M
- XL2EL89CMI-111YLC-27M
- XL2EL89CQI-111YLC-26M
- XL2EL89COI-111YLC-24.576M
- XL2EL89CSI-111YLC-18.432M

