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4P0304-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理、电动工具、电机控制和LED照明等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4P0304-VB
- 商品编号
- C19711368
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.565nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源