HM4264-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,60V;12A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM4264-VB
- 商品编号
- C19711370
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V;15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V;10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行优化
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- IRF7342D2TRPBF-VB
- MDS3753EURH&30V-VB
- ST13P10-VB
- UT9435G-S08-R-VB
- AUIRFP064N-VB
- RJK5012DPE-00-J3-VB
- SI7812DN-VB
- QX816D-CuH-ST
- 721-133/001-000
- MT42L32M32D1HE-18 IT:D
- MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR
- MT53E256M16D1DS-046 WT:B
- MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
- MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
- MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B
- MT41K256M8DA-125 AIT:K
- MT29F4T08EULEEM4-T:E TR
- PAT-2+
- MAX25262AFOF/VY+
- STM32H562RGT6


