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ST13P10-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ST13P10-VB
- 商品编号
- C19711373
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V；120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V；11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 槽栅功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- UT9435G-S08-R-VB
- AUIRFP064N-VB
- RJK5012DPE-00-J3-VB
- SI7812DN-VB
- QX816D-CuH-ST
- 721-133/001-000
- MT42L32M32D1HE-18 IT:D
- MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR
- MT53E256M16D1DS-046 WT:B
- MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
- MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
- MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B
- MT41K256M8DA-125 AIT:K
- MT29F4T08EULEEM4-T:E TR
- PAT-2+
- MAX25262AFOF/VY+
- STM32H562RGT6
- HR25-7TP-8S(72)
- THGAMVG9T23BAIL
- THGAMVT0T43BAIR