UTT25P10L-TA3-T-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效晶体管,采用Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源控制和开关应用。TO220;P—Channel沟道,-100V;-18A;RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UTT25P10L-TA3-T-VB
- 商品编号
- C19711365
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 167mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC 转换器
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- QX816D-CuH-ST
- 721-133/001-000
- MT42L32M32D1HE-18 IT:D
- MT62F2G32D4DS-023 IT:C TR
- MT53E256M16D1DS-046 WT:B
- MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
- MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
- MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B


