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T110N2G-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

T110N2G-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:100A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。TO252；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=0.5~1.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
T110N2G-VB
商品编号
C19711363
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)71W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.66nF
反向传输电容(Crss)375pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)730pF

数据手册PDF

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