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SI3993CDV-T1-GE3-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI3993CDV-T1-GE3-VB

2个P沟道 耐压:20V 电流:4A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双通道P型MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性，适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6；2个P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI3993CDV-T1-GE3-VB
商品编号
C19711351
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.2nC@4.5V
输入电容(Ciss)210pF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)45pF

数据手册PDF

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