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SI7844DP-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:14A 电流:22A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双极性N+N型Trench技术场效应管，适用于需要紧凑结构和高功率密度的电子设备和系统。DFN8(5X6)；2个N—Channel沟道,30V；22A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.8~2.4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7844DP-VB商品编号
C19711352商品封装
QFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 14A；22A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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