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GT750P08K
1个P沟道 耐压:80V 电流:28A
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- 描述
- 特性：- VDS：-80V。ID (at VGS = -10V)：-28A。RDS(ON) (at VGS = -10V) < 70mΩ。RDS(ON) (at VGS = -4.5V) < 80mΩ。100%雪崩测试。符合RoHS标准。应用：电源开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT750P08K
- 商品编号
- C19673800
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.981nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品概述
GT750P08K采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) -80V
- 漏极电流 (ID)（栅源电压 (VGS) = -10 V时） -28A
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（VGS = -10V时） < 70 mΩ
- 漏源导通电阻 (RDS(ON))（VGS = -4.5 V时） < 80 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器