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G2K2P10D3E
1个P沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G2K2P10D3E
- 商品编号
- C19673801
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.668nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
G170P06M采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压Vds:-100V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-10A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):< 210mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):< 230mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(人体模型)ESD >7.0KV
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器