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GT048N10T
N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT048N10T
- 商品编号
- C19673802
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.226nF |
商品概述
GT048N10T采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：100V
- 漏极电流（栅源电压（VGS） = 10V时）（ID）：110A
- 漏源导通电阻（VGS = 10V时）（RDS(ON)）：4.8mΩ
- 漏源导通电阻（VGS = 4.5V时）（RDS(ON)）：6.5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器