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GT013N04T
1个N沟道 耐压:40V 电流:220A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT013N04T
- 商品编号
- C19673792
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7984克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM304AP - B 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS（ON）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低 RDS（ON），可最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100% 雪崩测试
- 100% 漏源电压测试
应用领域
- 电子镇流器-电子变压器-开关模式电源