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G75P04M
1个P沟道 耐压:40V 电流:320A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G75P04M
- 商品编号
- C19673798
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 668pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 698pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G75P04M采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS:-40V
- 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10V时):-80A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -10V时):<6.5mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时):<8.5mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器