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G120N03D32
2个N沟道 耐压:30V 电流:28A
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G120N03D32
- 商品编号
- C19673796
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.089nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
商品概述
G120N03D32采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V 时)28A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 12mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 17mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器