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G120N03D32

2个N沟道 耐压:30V 电流:28A

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G120N03D32
商品编号
C19673796
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0544克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC
输入电容(Ciss)1.089nF
反向传输电容(Crss)109pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)133pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

G120N03D32采用先进的沟槽技术,具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS 30V
  • ID(VGS = 10 V 时)28A
  • RDS(ON)(VGS = 10V 时)< 12mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5 V 时)< 17mΩ
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器