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G160P03K

1个P沟道 耐压:30V 电流:30A

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描述
采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于各种应用。
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G160P03K
商品编号
C19673793
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3732克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.811nF
反向传输电容(Crss)208pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)240pF

商品概述

G300N04L采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS 40V
  • ID(VGS = 10 V时)5A
  • RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 35 mΩ
  • RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 45 mΩ
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电源开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF