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G075N06M
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G075N06M
- 商品编号
- C19673791
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.6026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.443nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF |
商品概述
G075N06M采用先进的沟槽技术，具有出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：110A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 7mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器