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RCLAMP2574N.TCT

TVS 2.5V截止峰值脉冲电流：40A@8/20us

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描述: RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级GbE保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于高风险环境中的应用，如千兆以太网、电信线路和LVDS接口。RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低关断电压，同时显著降低漏电流和电容。它具有2.5伏的真实工作电压，可提供卓越的保护。RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。尺寸为3.0x2.0x0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。
品牌名称: SEMTECH
商品型号: RCLAMP2574N.TCT
商品编号: C1974050
商品封装: SLP3020-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。这种独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在一个封装中。RClamp2574N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件可保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。 RClamp2574N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低关断电压，并显著降低漏电流和电容。它具有2.5伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。 RClamp2574N采用10引脚SLP3020N10封装。其尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。

商品特性

高速数据线瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）、±30kV（接触）；IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）；IEC 61000 - 4 - 5（雷击）40A（8/20μs）
带有内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
小封装节省电路板空间
保护两对线路
适用于高速接口的低电容
电容随偏置电压变化小
低钳位电压
低工作电压：2.5V
固态硅雪崩技术

应用领域

10/100/1000以太网
中心局设备
LVDS接口
磁性插孔/集成磁性元件
笔记本电脑/台式机/服务器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	2.5V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	40A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	1kW@8/20us
	击穿电压	2.7V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	500nA
	通道数	双路
	工作温度	-55℃~+85℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	5pF