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RCLAMP2504P.TCT
TVS 2.5V截止 5A峰值脉冲
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- 描述
- RailClamp是一种低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。该单片设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容转向二极管和TVS二极管。每条线路对地的最大电容 < 0.8pF
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- RCLAMP2504P.TCT
- 商品编号
- C1975485
- 商品封装
- SLP1616-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.5V | |
| 钳位电压 | 6.5V；13V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 80W | |
| 击穿电压 | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 0.8pF |
商品概述
RailClamp® 是一款低电容 TVS 阵列，专为保护高速数据接口而设计。该系列专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，使其免受由 ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和 EFT（电快速瞬变）引起的过电压影响。 该单片设计在单个封装中集成了浪涌额定、低电容的导向二极管和一个 TVS 二极管。每条线路对地的最大电容 < 0.8pF。每条线路的电容匹配良好，以确保信号平衡一致。此器件针对便携式电子设备的 ESD 保护进行了优化。它可用于满足 IEC 61000 - 4 - 2 标准 4 级（±15kV 空气放电、±8kV 接触放电）的 ESD 抗扰度要求。 RClamp™2504P 和 RClamp™3304P 采用 Semtech 专有的 EPD 工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD 工艺提供了低箝位电压，同时显著降低了漏电流和电容。它们具有 2.5 伏和 3.3 伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。 这些器件采用 6 引脚、符合 RoHS/WEEE 标准的 SLP1616P6 封装，尺寸为 1.6 × 1.6 × 0.58 毫米。引脚间距为 0.5 毫米，采用无铅 NiPdAu 镀层。
商品特性
- 符合 IEC 61000 - 4 - 2（ESD）± 15kV（空气放电）、± 8kV（接触放电）和 IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns）标准的高速数据线瞬态保护
- 带有内部 TVS 二极管的浪涌额定二极管阵列
- 小封装节省电路板空间
- 最多可保护四条 I/O 线路
- 适用于高速接口的低电容（< 0.8pF）
- 至 3.0GHz 的最小插入损耗
- 低工作电压：2.5V 和 3.3V
- 低漏电流和箝位电压
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 多媒体卡（MMC）接口
- SATA 接口
- SD 卡接口
- SIM 端口
- MDDI 端口
- MPPI 端口
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