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UCLAMP3311PQTCT
双向TVS 3.3V截止 峰值脉冲电流：5A@8/20us
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- 描述
- μ Clamp3311PQ瞬态电压抑制器专为保护连接到低压数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。该器件符合AEC - Q100三级标准，适用于汽车应用。μ Clamp3311PQ采用Semtech专有的EPD工艺技术制造
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- UCLAMP3311PQTCT
- 商品编号
- C1973521
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 18V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 3.5V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
μClamp3311PQ瞬态电压抑制器专为保护连接到低压数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。该器件符合AEC-Q100三级标准，适用于汽车应用。 μClamp3311PQ采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。与传统的pn结器件相比，其真正的工作电压为3.3伏，可提供更出色的保护。 μClamp3311PQ采用2引脚SLP1006P2封装，尺寸为1.0×0.6×0.5毫米。引脚间距为0.65毫米，采用无铅NiPdAu镀层。每个器件可保护一条工作电压为3.3伏的线路。这为设计人员在不适合使用阵列的应用中灵活保护单条线路提供了可能。该器件可满足IEC 61000 - 4 - 2的ESD抗扰度要求。低电压、小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于保护汽车应用中的敏感电子设备。
商品特性
- 符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准的数据线路瞬态保护：±25kV（空气放电），±20kV（接触放电）；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准：40A（脉冲宽度tp = 5/50ns）；具备电缆放电事件（CDE）保护
- 符合AEC - Q100三级标准
- 可保护一条数据线路
- 低箝位电压
- 工作电压：3.3V
- 低泄漏电流
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 汽车应用
- 低压数据线路
- 10/100以太网