温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH8807G3B
2个N沟道 耐压:20V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8807G3B
- 商品编号
- C19273255
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.389nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 262pF |
商品概述
FH8807G3B采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 20V, ID = 13A
- RDS(ON)(典型值) = 6.0mΩ,VGS = 4.5V
- RDS(ON)(典型值) = 6.5mΩ,VGS = 3.8V
- RDS(ON)(典型值) = 7.5mΩ,VGS = 2.5V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- DC-DC电源系统
- 负载开关