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FH13P04G6
1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作，适用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH13P04G6
- 商品编号
- C19273264
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.433nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 181pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
FH1204S采用先进的超级沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源击穿电压BVDSS = 40V，漏极电流ID = 20A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) = 7mΩ（典型值）
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) = 9mΩ（典型值）
- 表面贴装封装
- 超级沟槽
- 低热阻
- 低输入电容ciss
应用领域
- 电机驱动器-计算机中的DC/DC转换器