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FH13P04G6实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH13P04G6

1个P沟道 耐压:40V 电流:30A

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描述
使用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至 -4.5V 的栅极电压下工作,适用于多种应用。
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH13P04G6
商品编号
C19273264
商品封装
PDFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11756克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)3.433nF
反向传输电容(Crss)181pF
工作温度-
类型P沟道
输出电容(Coss)230pF

商品概述

FH1204S采用先进的超级沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -40V,ID = -30A
  • RDS(ON)(典型值):9.0 mΩ(VGS = -10V 时)
  • RDS(ON)(典型值):13 mΩ(VGS = -4.5V 时)
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅

应用领域

  • 负载开关
  • 电源管理
  • PWM应用

数据手册PDF