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FH3703TL4
N沟道 耐压:30V 电流:170A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3703TL4
- 商品编号
- C19273267
- 商品封装
- TOLL-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.516nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 547pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 585pF |
商品概述
5P06-MS是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 5P06-MS符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电池管理