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FH3418L
1个P沟道 耐压:27V 电流:7.2A
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- 描述
- P沟道增强型MOSFET采用沟槽技术，封装为SOT23-3L塑料封装。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3418L
- 商品编号
- C19273259
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 27V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.373nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 212pF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
商品特性
- VDS = -25V,ID = -7.2A
- RDS(ON)(典型值)= 12mΩ,VGS = -10V
- RDS(ON)(典型值)= 17mΩ,VGS = -4.5V
- RDS(ON)(典型值)= 16mΩ,VGS = -5.0V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(SOT23-3L)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
-高速开关-DC-DC 转换器-锂离子电池-闪电数据线