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FH037N10B
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 此N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH037N10B
- 商品编号
- C19273262
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.0985克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.385nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.53nF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻（RDSON）而设计，同时保持卓越的开关性能，尤其适用于高效电源管理应用。
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优良的封装，散热性能出色
应用领域
- 电机驱动器
- 电源开关应用
- 负载开关
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器