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FH4602K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及用于许多其他应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4602K
- 商品编号
- C19273253
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 952pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF；131pF |
商品概述
FH3418L 是采用沟槽技术、塑料封装（SOT23-3L）的 P 沟道增强型 MOSFET。
商品特性
- VDS = -25V，ID = -7.2A
- RDS(ON)（典型值）= 12mΩ，VGS = -10V
- RDS(ON)（典型值）= 17mΩ，VGS = -4.5V
- RDS(ON)（典型值）= 16mΩ，VGS = -5.0V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装（SOT23-3L）
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关-DC-DC 转换器-锂离子电池-闪电数据线