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FH4606K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:7.2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换高侧开关，以及其他多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4606K
- 商品编号
- C19273252
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF；75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET，具有全新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- N沟道:VDS = 30 V,ID = 7.2 A
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 20 mΩ,VGS = 10 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 23 mΩ,VGS = 4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 31 mΩ,VGS = 2.5 V
- P沟道:VDS = -30 V,ID = -7.1 A
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 33 mΩ,VGS = -10 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 38 mΩ,VGS = -4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值)= 51 mΩ,VGS = -2.5 V
应用领域
-高频开关和同步整流-DC/DC转换器-表面贴装封装