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MDT80N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- MDT80N06D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT80N06D
- 商品编号
- C19272215
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43932克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
120N15T是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 120N15T符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试保证，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 80 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 8.0 mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 高密度单元设计,可降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能优异
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源