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IRF640NS
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- IRF640NS是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管是适用于开关电源（SMPS）、高速开关及通用应用的理想器件。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF640NS
- 商品编号
- C19272231
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.856375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 18 A,在栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 180 mΩ
- 快速开关
- 低反向传输电容(Crss)
- 100%经过雪崩测试,改善了dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源