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MLS60R380D
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- MS60R380D是一款采用先进超结技术的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS60R380D
- 商品编号
- C19272228
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿度敏感度等级3
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- VDS = 600 V,ID = 11 A,VGS = 10 V时RDS(ON) < 0.33 Ω
应用领域
- 高频开关模式电源