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MLS65R580P
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
- 描述
- MLS65R580P是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS65R580P
- 商品编号
- C19272225
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿气敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- VDS = 650 V,ID = 8 A,RDS(ON) < 0.58 Ω@VGS = 10 V
应用领域
- 高频开关模式电源